Измерительный комплекс ДМТ-233 предназначен для измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур и расчёта профиля концентрации носителей заряда по глубине.
Назначение и возможности
Комплекс измеряет вольт-фарадные характеристики, сохраняет результаты и рассчитывает параметры диэлектрика:
- напряжение плоских зон;
- плотность общего заряда в диэлектрике;
- пороговое напряжение;
- профиль концентрации носителей заряда по глубине полупроводниковой структуры.
Программное обеспечение отображает измеренные зависимости, выполняет расчёты и сохраняет результаты в памяти компьютера.
Технические характеристики
| Параметр |
Значение |
| Встроенное смещение постоянного тока |
±12 В |
| Частота тестового сигнала |
от 10 Гц до 5 МГц |
| Диапазон измерения ёмкостной составляющей |
от 2 до 2000 пФ |
| Пределы измерения ёмкости |
2000; 200; 20; 2 пФ |
| Погрешность измерения ёмкости |
±10 % |
| Диапазон измерения активной составляющей |
от 1 до 20 000 мкСм |
| Пределы измерения активной составляющей |
20 000; 2000; 200; 20 мкСм |
| Погрешность измерения активной составляющей |
±10 % |
| Действующее значение тестового сигнала |
не более 0,02 В |
К общему списку
