Комплекс измерительный ДМТ–2200 предназначен для измерения статических параметров полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов, диодов, тиристоров, стабилитронов, оптронов, а также микросборок.
Возможности комплекса ДМТ–2200:
- получение семейства вольтамперных характеристик диодов, биполярных и полевых транзисторов;
- алгоритмическое определение параметров производных от вольтамперных характеристик, таких как статический коэффициент передачи тока для биполярных транзисторов, крутизна для полевых транзисторов, параметры режима насыщения транзисторов, М–характеристики p–n переходов;
- определение основных параметров диодов, биполярных и полевых транзисторов в различных режимах работы;
- отбраковка (с возможностью задания параметров отбраковки) пассивных и активных комплектующих;
- определение параметров активных и пассивных двухполюсников и четырехполюсников с токами воздействия до 60 А тока в импульсном режиме, до 2000 В в импульсном режиме;
- определение нагрузочных характеристик активных и пассивных двухполюсников и четырехполюсников с выходными токами до 60 А тока в импульсном режиме, до 2000 В в импульсном режиме.
- определение нагрузочных характеристик активных и пассивных двухполюсников и четырехполюсников с выходными токами до 60 А тока в импульсном режиме, до 2000 В в импульсном режиме.
К общему списку